Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
indgår i Springer Theses serien
- Indbinding:
- Paperback
- Sideantal:
- 59
- Udgivet:
- 7. juni 2018
- Udgave:
- 12016
- Vægt:
- 1503 g.
- 2-3 uger.
- 16. december 2024
På lager
Forlænget returret til d. 31. januar 2025
Normalpris
Abonnementspris
- Rabat på køb af fysiske bøger
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
Brugerbedømmelser af Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Giv din bedømmelse
For at bedømme denne bog, skal du være logget ind.Andre købte også..
Find lignende bøger
Bogen Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices findes i følgende kategorier: