Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect
indgår i Springer Theses serien
- Indbinding:
- Hardback
- Sideantal:
- 137
- Udgivet:
- 18. september 2017
- Udgave:
- 12018
- Vægt:
- 3613 g.
- 8-11 hverdage.
- 21. november 2024
Normalpris
Abonnementspris
- Rabat på køb af fysiske bøger
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
Beskrivelse af Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect
This thesis addresses selected unsolved problems in the chemical mechanical polishing process (CMP) for integrated circuits using ruthenium (Ru) as a novel barrier layer material.
Brugerbedømmelser af Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect
Giv din bedømmelse
For at bedømme denne bog, skal du være logget ind.Andre købte også..
Find lignende bøger
Bogen Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect findes i følgende kategorier:
© 2024 Pling BØGER Registered company number: DK43351621