Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
- Indbinding:
- Hardback
- Sideantal:
- 252
- Udgivet:
- 23. november 2010
- Udgave:
- 2011
- Størrelse:
- 244x170x15 mm.
- Vægt:
- 631 g.
- 8-11 hverdage.
- 7. december 2024
Normalpris
Abonnementspris
- Rabat på køb af fysiske bøger
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
Beskrivelse af Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
Brugerbedømmelser af Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Giv din bedømmelse
For at bedømme denne bog, skal du være logget ind.Andre købte også..
Find lignende bøger
Bogen Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs findes i følgende kategorier:
© 2024 Pling BØGER Registered company number: DK43351621