Silicon and Germanium Based Halo Doped Tunnel Field Effect Transistors
Du sparer
0%
ift. normalprisen
Spar
0%
- Indbinding:
- Paperback
- Sideantal:
- 228
- Udgivet:
- 3. december 2020
- Størrelse:
- 150x14x220 mm.
- Vægt:
- 358 g.
- 2-3 uger.
- 11. december 2024
På lager
Normalpris
Abonnementspris
- Rabat på køb af fysiske bøger
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
Brugerbedømmelser af Silicon and Germanium Based Halo Doped Tunnel Field Effect Transistors
Giv din bedømmelse
For at bedømme denne bog, skal du være logget ind.Andre købte også..
Find lignende bøger
Bogen Silicon and Germanium Based Halo Doped Tunnel Field Effect Transistors findes i følgende kategorier: