De Aller-Bedste Bøger - over 12 mio. danske og engelske bøger
Levering: 1 - 2 hverdage

Les transistors MOSFET à diélectrique High-K propulsent l'évolution technologique

Bag om Les transistors MOSFET à diélectrique High-K propulsent l'évolution technologique

Les progrès de la technologie de fabrication high-k ont permis des avancées considérables dans l'industrie microélectronique en améliorant les performances des transistors individuels et en permettant l'intégration d'un plus grand nombre de transistors sur une puce. Dans les années à venir, le MOS à haut pouvoir couvrant pourrait être celui qui changera les scénarios sur la façon dont les petits transistors peuvent être fabriqués. Les études sur ce dispositif devraient donc se poursuivre par des expérimentations intensives. L'impact du diélectrique à haut k (TiO2) est également observé sur le transistor NMOS. On constate que le courant de fuite sous le seuil diminue avec l'augmentation de la tension de seuil, ce qui réduit la consommation d'énergie et améliore donc les performances du transistor NMOS. La réduction de la fuite de grille et de l'oscillation sous le seuil fait de la structure NMOS à haut k une alternative solide pour les futurs dispositifs MOS à l'échelle nanométrique. L'analyse permet également de conclure qu'à mesure que les dispositifs sont mis à l'échelle, la tension de seuil diminue.

Vis mere
  • Sprog:
  • Fransk
  • ISBN:
  • 9786207053629
  • Indbinding:
  • Paperback
  • Sideantal:
  • 76
  • Udgivet:
  • 16. januar 2024
  • Størrelse:
  • 150x6x220 mm.
  • Vægt:
  • 131 g.
  • 2-3 uger.
  • 10. december 2024
På lager

Normalpris

Abonnementspris

- Rabat på køb af fysiske bøger
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding

Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.

Beskrivelse af Les transistors MOSFET à diélectrique High-K propulsent l'évolution technologique

Les progrès de la technologie de fabrication high-k ont permis des avancées considérables dans l'industrie microélectronique en améliorant les performances des transistors individuels et en permettant l'intégration d'un plus grand nombre de transistors sur une puce. Dans les années à venir, le MOS à haut pouvoir couvrant pourrait être celui qui changera les scénarios sur la façon dont les petits transistors peuvent être fabriqués. Les études sur ce dispositif devraient donc se poursuivre par des expérimentations intensives. L'impact du diélectrique à haut k (TiO2) est également observé sur le transistor NMOS. On constate que le courant de fuite sous le seuil diminue avec l'augmentation de la tension de seuil, ce qui réduit la consommation d'énergie et améliore donc les performances du transistor NMOS. La réduction de la fuite de grille et de l'oscillation sous le seuil fait de la structure NMOS à haut k une alternative solide pour les futurs dispositifs MOS à l'échelle nanométrique. L'analyse permet également de conclure qu'à mesure que les dispositifs sont mis à l'échelle, la tension de seuil diminue.

Brugerbedømmelser af Les transistors MOSFET à diélectrique High-K propulsent l'évolution technologique



Find lignende bøger
Bogen Les transistors MOSFET à diélectrique High-K propulsent l'évolution technologique findes i følgende kategorier: