Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors
- Indbinding:
- Hardback
- Sideantal:
- 124
- Udgivet:
- 1. april 2021
- Udgave:
- 12021
- Størrelse:
- 155x235x0 mm.
- Vægt:
- 454 g.
- 8-11 hverdage.
- 13. december 2024
Forlænget returret til d. 31. januar 2025
Normalpris
Abonnementspris
- Rabat på køb af fysiske bøger
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
Beskrivelse af Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors
The authors cover the full range from fundamentals to implementation details including topics like power stages, various kinds of gate drivers (resonant, non-resonant, current-source, voltage-source), gate drive schemes, driver supply, gate loop, gate driver power efficiency and comparison silicon versus GaN transistors.
Brugerbedømmelser af Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors
Giv din bedømmelse
For at bedømme denne bog, skal du være logget ind.Andre købte også..
Find lignende bøger
Bogen Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors findes i følgende kategorier:
© 2024 Pling BØGER Registered company number: DK43351621