Gallium Nitride (GaN)
- Physics, Devices, and Technology
- Indbinding:
- Hardback
- Sideantal:
- 388
- Udgivet:
- 16. oktober 2015
- Størrelse:
- 156x234x25 mm.
- Vægt:
- 703 g.
- 2-3 uger.
- 11. december 2024
På lager
Normalpris
Abonnementspris
- Rabat på køb af fysiske bøger
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
Beskrivelse af Gallium Nitride (GaN)
Gallium nitride (GaN) is a binary III/V direct bandgap semiconductor commonly used in bright light-emitting diodes since the 1990s. Its sensitivity to ionizing radiation is low, making it a suitable material for solar cell arrays for satellites. This book covers GaN from the fundamental physics to the fabrication of devices and circuits that are already foreseen to replace standard silicon or gallium arsenide (GaAs) in many applications.
Brugerbedømmelser af Gallium Nitride (GaN)
Giv din bedømmelse
For at bedømme denne bog, skal du være logget ind.Andre købte også..
Find lignende bøger
Bogen Gallium Nitride (GaN) findes i følgende kategorier:
© 2024 Pling BØGER Registered company number: DK43351621