Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors
- Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling
- Indbinding:
- Hardback
- Sideantal:
- 269
- Udgivet:
- 6. august 2015
- Udgave:
- 12015
- Størrelse:
- 235x155x20 mm.
- Vægt:
- 6083 g.
- 2-3 uger.
- 11. december 2024
På lager
Normalpris
Abonnementspris
- Rabat på køb af fysiske bøger
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
Brugerbedømmelser af Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors
Giv din bedømmelse
For at bedømme denne bog, skal du være logget ind.Andre købte også..
Find lignende bøger
Bogen Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors findes i følgende kategorier: