Effect of Disorder and Defects in Ion-Implanted Semiconductors: Optical and Photothermal Characterization
indgår i Semiconductors and Semimetals serien
- Indbinding:
- Hardback
- Sideantal:
- 316
- Udgivet:
- 12. juni 1997
- Størrelse:
- 152x229x22 mm.
- Vægt:
- 620 g.
- 2-3 uger.
- 11. december 2024
Normalpris
Abonnementspris
- Rabat på køb af fysiske bøger
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
Beskrivelse af Effect of Disorder and Defects in Ion-Implanted Semiconductors: Optical and Photothermal Characterization
Focusing on the physics of the annealing kinetics of the damaged layer, this book presents an overview of characterization techniques and a comparison of the information on annealing kinetics. It also provides basic knowledge of ion implantation-induced defects; focuses on physical mechanisms of defect annealing; and more.
Brugerbedømmelser af Effect of Disorder and Defects in Ion-Implanted Semiconductors: Optical and Photothermal Characterization
Giv din bedømmelse
For at bedømme denne bog, skal du være logget ind.Andre købte også..
Find lignende bøger
Bogen Effect of Disorder and Defects in Ion-Implanted Semiconductors: Optical and Photothermal Characterization findes i følgende kategorier:
© 2024 Pling BØGER Registered company number: DK43351621