Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor
- Fabrication, Modeling and Applications
- Indbinding:
- Paperback
- Sideantal:
- 134
- Udgivet:
- 17. september 2016
- Udgave:
- 12014
- Størrelse:
- 235x155x8 mm.
- Vægt:
- 238 g.
- 8-11 hverdage.
- 12. december 2024
På lager
Forlænget returret til d. 31. januar 2025
Normalpris
Abonnementspris
- Rabat på køb af fysiske bøger
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding
Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.
Beskrivelse af Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor
The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM).
Brugerbedømmelser af Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor
Giv din bedømmelse
For at bedømme denne bog, skal du være logget ind.Andre købte også..
Find lignende bøger
Bogen Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor findes i følgende kategorier:
© 2024 Pling BØGER Registered company number: DK43351621