De Aller-Bedste Bøger - over 12 mio. danske og engelske bøger
Levering: 1 - 2 hverdage

Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor

- Fabrication, Modeling and Applications

Bag om Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor

The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM).

Vis mere
  • Sprog:
  • Engelsk
  • ISBN:
  • 9788132216346
  • Indbinding:
  • Hardback
  • Sideantal:
  • 134
  • Udgivet:
  • 21. november 2013
  • Udgave:
  • 2014
  • Størrelse:
  • 234x156x9 mm.
  • Vægt:
  • 3495 g.
  • 8-11 hverdage.
  • 12. december 2024
På lager
Forlænget returret til d. 31. januar 2025

Normalpris

Abonnementspris

- Rabat på køb af fysiske bøger
- 1 valgfrit digitalt ugeblad
- 20 timers lytning og læsning
- Adgang til 70.000+ titler
- Ingen binding

Abonnementet koster 75 kr./md.
Ingen binding og kan opsiges når som helst.

Beskrivelse af Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor

The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM).

Brugerbedømmelser af Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor



Find lignende bøger
Bogen Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor findes i følgende kategorier: